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R6004KNJ	文件：2.15389 Mbytes Page：13 Pages	Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.15389 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6004KNJ	文件：299.83 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6004KNJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 4A 功率MOSFET R6004KNJ是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。 • Low on-resistance.\n• Ultra fast switching speed.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM
R6004KNX	文件：296.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6004KNX	文件：2.423 Mbytes Page：13 Pages	Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.423 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6004PND	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.9
Total gate charge Qg[nC]：
10.2
Power Dissipation (PD)[W]：
58
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
230
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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