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R6004KNX | Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.423 Mbytes 页数：13 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
R6004KNX | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.92 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
R6004KNX | Nch 600V 4A 功率MOSFET R6004KNX是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。 • Low on-resistance.\n• Ultra fast switching speed.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.; | ROHM 罗姆 | ROHM | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.58 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：68.7 Kbytes 页数：4 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：169.45 Kbytes 页数：4 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS |
技术参数
- 封装：
TO-220FM
- 包装数量：
1000
- 最小独立包装数量：
50
- 包装形态：
Tube
- RoHS：
Yes
- Package Code：
TO-220FM
- Applications：
Power Supply
- Number of terminal：
3
- Polarity：
Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
- Drain Current ID[A]：
4
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.9
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.9
- Total gate charge Qg[nC]：
10.2
- Power Dissipation (PD)[W]：
40
- Drive Voltage[V]：
10
- Trr (Typ.)[ns]：
230
- Mounting Style：
Leaded type
- Bare Die Part Number：
Available
- Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
- Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
SMD |
20000 |
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ROHM |
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TO-220FM |
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TO-220 |
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Rohm Semiconductor |
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原厂渠道,现货配单 |
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TO-220-3 |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
TO-220F |
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原装正品，支持实单 |
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ROHM |
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TO-220FM |
100 |
全新原装鄙视假货 |
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