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R6004PND	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6004PND3FRA	文件：1.44044 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6004PND3；Package：TO-252；Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：1.44044 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6004PND3FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 4A 功率MOSFET R6004PND3FRA是适合开关电源用途的功率MOSFET。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RJS6004TDPEJ	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：68.7 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJS6004TDPP-EJ	文件：169.45 Kbytes Page：4 Pages	600V - 10A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：169.45 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJS6004WDPK	文件：65.8 Kbytes Page：4 Pages	600V - 20A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：65.8 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.4
Total gate charge Qg[nC]：
11
Power Dissipation (PD)[W]：
65
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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