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R6004KNJ	文件：299.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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RJS6004TDPEJ	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6004TDPP-EJ	文件：169.45 Kbytes Page：4 Pages	600V-10A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6004WDPK	文件：70.61 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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