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PXAE263708NB	文件：612.61 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 – 2690 MHz Description The PXAE263708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to 2690 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and a thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured 文件：612.61 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXAE263708NB	文件：289.18 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 ??2690 MHz 文件：289.18 Kbytes 页数：9 Pages	CREE 科锐	CREE
PXAE263708NB-V1-R2	文件：612.61 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 – 2690 MHz Description The PXAE263708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to 2690 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and a thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured 文件：612.61 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXAE263708NB-V1-R2	文件：289.18 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 ??2690 MHz 文件：289.18 Kbytes 页数：9 Pages	CREE 科锐	CREE
PXAE263708NB-V1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB); 28 V; 2620 - 2690 MHz The PXAE263708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to 2690 MHz frequency band. Features include input and output matching; high gain and a thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with an advanced L ·Broadband internal input and output matching\n·Asymmetric Doherty design: Main P1dB = 140 W Typ; Peak P1dB = 260 W Typ\n·Typical pulsed CW performance; 2655 MHz; 28 V; Doherty configuration; class AB: Output power at P1dB = 200 W; Output power at P3dB = 400 W; Efficiency = 49% (POUT = 57 W avg);	MACOM	MACOM
PXAE263708NB-V1-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PG-HB2SOF-8-1；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PXAE263708NB-V1-R2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PG-HB2SOF-8-1；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ	WOLFSPEED	WOLFSPEED

技术参数

Min Frequency (MHz)：
2620
Max Frequency(MHz)：
2690
P3dB Output Power(W)：
400
Gain(dB)：
13.5
Efficiency(%)：
47
Operating Voltage(V)：
28
Package Category：
Plastic
Form：
Packaged Discrete Transistor
Technology：
LDMOS

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