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PXAE263708NB分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PXAE263708NB |
参数属性 | PXAE263708NB 封装/外壳为PG-HB2SOF-8-1;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 – 2690 MHz |
文件大小 |
612.61 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | WOLFSPEED, INC. |
企业简称 |
WOLFSPEED |
中文名称 | WOLFSPEED, INC.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-30 22:30:00 |
PXAE263708NB规格书详情
Description
The PXAE263708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS FET intended for use
in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to
2690 MHz frequency band. Features include input and output matching,
high gain and a thermally-enhanced package with earless flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
Features
• Broadband internal input and output matching
• Asymmetric Doherty design
- Main: P1dB = 140 W Typ
- Peak: P1dB = 260 W Typ
• Typical pulsed CW performance, 2655 MHz, 28 V,
Doherty configuration, 10 µs, 10 duty cycle, class AB
- Output power at P1dB = 200 W
- Output power at P3dB = 400 W
- Efficiency = 49 (POUT = 57 W avg)
- Gain = 15 dB (POUT = 57 W avg)
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 32 V, 100 W (CW)
output power
• Integrated ESD protection
• Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
• Low thermal resistance
• Pb-free and RoHS compliant
PXAE263708NB属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的PXAE263708NB晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PXAE263708NB-V1-R0
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
14dB
- 额定电流(安培):
10µA
- 功率 - 输出:
57W
- 封装/外壳:
PG-HB2SOF-8-1
- 供应商器件封装:
PG-HB2SOF-8-1
- 描述:
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020+ |
PLCC44 |
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