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PXAE263708NB-V1-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PXAE263708NB-V1-R2 |
| 参数属性 | PXAE263708NB-V1-R2 封装/外壳为PG-HB2SOF-8-1；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 ??2690 MHz |
| 封装外壳 | PG-HB2SOF-8-1 |
| 文件大小 |
289.18 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Cree, Inc |
| 企业简称 |
CREE【科锐】 |
| 中文名称 | 科锐官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-7 22:30:00 |
| 人工找货 | PXAE263708NB-V1-R2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
PXAE263708NB-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
57W
- 封装/外壳：
PG-HB2SOF-8-1
- 供应商器件封装：
PG-HB2SOF-8-1
- 描述：
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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