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PTVA101K02EV	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description The PTVA101K02EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 1030 MHz / 1090 MHz frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides exce 文件：511.01 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA101K02EV	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz 文件：1.24606 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTVA101K02EV	文件：359.03 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz 文件：359.03 Kbytes 页数：9 Pages	Cree 科锐	Cree
PTVA101K02EV-V1-R0	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description The PTVA101K02EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 1030 MHz / 1090 MHz frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides exce 文件：511.01 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA101K02EV-V1-R250	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description The PTVA101K02EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 1030 MHz / 1090 MHz frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides exce 文件：511.01 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA101K02EVV1R0	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz 文件：1.24606 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTVA101K02EVV1R0XTMA1	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz 文件：1.24606 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTVA101K02EVV1R250	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz 文件：1.24606 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTVA101K02EVV1R250XTMA1	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz 文件：1.24606 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

Matching ：
Input
Frequency Band min max：
1030.0MHz 1090.0MHz
P1dB ：
950.0W
Supply Voltage ：
50.0V
Gain ：
17.5dB
Test Signal ：
Pulsed

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