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PTVA101K02EV	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description ThePTVA101K02EVLDMOSFETisdesignedforuseinpoweramplifier applicationsinthe1030MHz/1090MHzfrequencyband.Featuresincludehighgainandthermally-enhancedpackagewithbolt-downflange. ManufacturedwithWolfspeed'sadvancedLDMOSprocess,thisdevice providesexce	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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PTVA101K02EV	文件：359.03 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz	CreeCree, Inc 科锐	Cree
PTVA101K02EV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTVA101K02EV-V1-R0	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description ThePTVA101K02EVLDMOSFETisdesignedforuseinpoweramplifier applicationsinthe1030MHz/1090MHzfrequencyband.Featuresincludehighgainandthermally-enhancedpackagewithbolt-downflange. ManufacturedwithWolfspeed'sadvancedLDMOSprocess,thisdevice providesexce	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PTVA101K02EV-V1-R250	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description ThePTVA101K02EVLDMOSFETisdesignedforuseinpoweramplifier applicationsinthe1030MHz/1090MHzfrequencyband.Featuresincludehighgainandthermally-enhancedpackagewithbolt-downflange. ManufacturedwithWolfspeed'sadvancedLDMOSprocess,thisdevice providesexce	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PTVA101K02EVV1R0	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTVA101K02EVV1R0XTMA1	文件：1.24606 Mbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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