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PTVA101K02EV-V1-R0	文件：511.01 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz Description ThePTVA101K02EVLDMOSFETisdesignedforuseinpoweramplifier applicationsinthe1030MHz/1090MHzfrequencyband.Featuresincludehighgainandthermally-enhancedpackagewithbolt-downflange. ManufacturedwithWolfspeed'sadvancedLDMOSprocess,thisdevice providesexce	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
PTVA101K02EV-V1-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：H-36275-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC AMP RF LDMOS H-36275-4	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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PTVA101K02EV-V1-R0

文件：511.01 Kbytes

Page：9 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz

Description ThePTVA101K02EVLDMOSFETisdesignedforuseinpoweramplifier applicationsinthe1030MHz/1090MHzfrequencyband.Featuresincludehighgainandthermally-enhancedpackagewithbolt-downflange. ManufacturedwithWolfspeed'sadvancedLDMOSprocess,thisdevice providesexce

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

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包装：托盘封装/外壳：H-36275-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC AMP RF LDMOS H-36275-4

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

产品属性

产品编号：
PTVA101K02EV-V1-R0
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
21dB
功率 - 输出：
900W
封装/外壳：
H-36275-4
供应商器件封装：
H-36275-4
描述：
IC AMP RF LDMOS H-36275-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PTVA101K02EV-V1-R0	Wolfspeed, Inc.	23+	H-36275-4	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	PTVA101K02EV-V1-R0	Cree/Wolfspeed	2022+	H-36275-4	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市科雨电子有限公司	PTVA101K02EVV1R0XTMA1	INFINEON	1809+	H-36275-4	7	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	PTVA101K02EVV1R0XTMA1	Infineon Technologies	23+	H362754	9000	原装正品，支持实单	询价
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深圳兆威电子有限公司	PTVA101K02EVV1XWSA1	Infineon	20+	NA	90000	全新原装正品/库存充足	询价

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