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PTFA091201E-V4-R250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTFA091201E-V4-R250 |
| 参数属性 | PTFA091201E-V4-R250 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 |
| 功能描述 | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 制造商 | Wolfspeed(CREE) WOLFSPEED, INC. |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找货 | PTFA091201E-V4-R250价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA091201E-V4-R250规格书详情
简介
PTFA091201E-V4-R250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFA091201E-V4-R250晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 型号
：ptfa091201e-v4-r250
- 频率
：960MHz
- 增益
：19dB
- 电压 - 测试
：28V
- 额定电流
：10µA
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：750mA
- 功率 - 输出
：110W
- 电压 - 额定
：65V
- 封装/外壳
：2-扁平封装，叶片引线
- 供应商器件封装
：H-36248-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies |
23+ |
H362482 |
7000 |
询价 |
