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PTF210451F	文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTF210451F V1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTFA210451E	文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTF210451	文件：406.9 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance 文件：406.9 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTF210451E	文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTF210451E	文件：406.9 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance 文件：406.9 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
PTF210451F
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市佳杰伟业科技有限公司	PTF210451F	INFINEON	2406+		3886	优势代理渠道,原装现货,可全系列订货	询价
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更多PTF210451F供应商更新时间2026-4-17 16:10:00

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