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PTF080901E	文件：205.95 Kbytes Page：10 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz Description ThePTF080901isa90W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforEDGEandCDMAapplicationsinthe860to960MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •TypicalEDGEperformance -Averageoutput	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTF080901F	文件：205.95 Kbytes Page：10 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz Description ThePTF080901isa90W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforEDGEandCDMAapplicationsinthe860to960MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •TypicalEDGEperformance -Averageoutput	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
PTF0809
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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