PTF080901E中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	PTF080901E
功能描述	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
文件大小	205.95 Kbytes
页面数量	10 页
生产厂商	INFINEON
中文名称	英飞凌
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更新时间	2026-1-17 18:32:00
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PTF080901E规格书详情

描述 Description

The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

特性 Features

• Broadband internal matching

• Typical EDGE performance

- Average output power = 45 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40

• Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 120 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 60

• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

• Excellent thermal stability

• Low HCI drift

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 90 W (CW) output power

产品属性

型号：
PTF080901E
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz

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