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PSMN020	文件：122.58 Kbytes Page：7 Pages	N-channel TrenchMOS횚 transistor 文件：122.58 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN020-100YS	文件：744.9 Kbytes Page：14 Pages	丝印：20100；Package：SOT669；N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAK 1. General description Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 2. Features and benefits • Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charg 文件：744.9 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN020-150W	文件：28.75 Kbytes Page：4 Pages	TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION SiliconMAXproducts use the latest Philips Trench technology to achieve the lowest possible on-state resistance in each package at each voltage rating. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • Low thermal resistance Applications:- 文件：28.75 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN020-150W	文件：358.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 73A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：358.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN020-100YS	文件：244.21 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100V 20.5m廓 standard level MOSFET in LFPAK 文件：244.21 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PSMN020-100YS_15	文件：311.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 20.5m廓 standard level MOSFET in LFPAK 文件：311.25 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN020-150W	文件：120.18 Kbytes Page：4 Pages	N-channel TrenchMOS transistor 文件：120.18 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN020-150W	文件：122.58 Kbytes Page：7 Pages	N-channel TrenchMOS횚 transistor 文件：122.58 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN020-30MLC	文件：768.65 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V 18.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology 文件：768.65 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN020-30MLC_15	文件：283.01 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V 18.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology 文件：283.01 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
20.5
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
43
QGD [typ] (nC)：
11.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
41
Ptot [max] (W)：
106
Qr [typ] (nC)：
112
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2210
Coss [typ] (pF)：
167
Release date：
2011-01-27

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PSMN020	ST/意法	23+	TO-3P	8999999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多PSMN020供应商更新时间2025-10-10 11:10:00

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