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PSMN020-30MLC	文件：768.65 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V 18.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology 文件：768.65 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN020-30MLC_15	文件：283.01 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V 18.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology 文件：283.01 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN020-30MLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 18.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Low parasitic inductance and resistance\n• Optimised for 4.5V Gate drive utilising Superjunction technology\n• Ultra low QG, QGD, and QOSS for high system efficiencies at low and high loads;	Nexperia 安世	Nexperia
MSWSH-020-30	文件：689.96 Kbytes Page：5 Pages	PIN Diode Shunt Switch Element 文件：689.96 Kbytes 页数：5 Pages	MA-COM	MA-COM
MSWSHB-020-30	文件：611.54 Kbytes Page：4 Pages	PIN Diode Shunt Switch Element 文件：611.54 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
MSWSSB-020-30	文件：651.86 Kbytes Page：5 Pages	PIN Diode Shunt Switch Element 文件：651.86 Kbytes 页数：5 Pages	MA-COM	MA-COM

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
18.1
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
27
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
31.8
QGD [typ] (nC)：
1.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
4.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
9.5
Ptot [max] (W)：
33
Qr [typ] (nC)：
5.1
VGSth [typ] (V)：
1.62
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
430
Coss [typ] (pF)：
119.99999
Release date：
2012-09-04

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PSMN020-30MLC	NEXPERIA/安世	25+	SOT1210	600000	NEXPERIA/安世全新特价PSMN020-30MLC即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多PSMN020-30MLC供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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