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PSMN020-100YS	文件：744.9 Kbytes Page：14 Pages	Marking：20100；Package：SOT669；N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAK 1.Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinLFPAKpackagequalifiedto175°C.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand domesticequipment. 2.Featuresandbenefits •AdvancedTrenchMOSprovideslowRDSonandlowgatecharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PSMN020-100YS

文件：744.9 Kbytes

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Marking：20100；Package：SOT669；N-channel 100V 20.5mΩ standard level MOSFET in LFPAK

1.Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinLFPAKpackagequalifiedto175°C.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand domesticequipment. 2.Featuresandbenefits •AdvancedTrenchMOSprovideslowRDSonandlowgatecharg

安世安世半导体(中国)有限公司

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PSMN020-100YS_15

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N-channel 100V 20.5m廓 standard level MOSFET in LFPAK

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PSMN020-100YS
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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