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PSMN015-60BS	文件：349.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN015-60BS	文件：801.31 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction l 文件：801.31 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN015-60PS	文件：802.4 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V 14.8 mΩ standard level MOSFET 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction l 文件：802.4 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN015-60PS	文件：371.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN015N10NS2	文件：1.037869 Mbytes Page：6 Pages	丝印：015N10NS；Package：TOLL；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature  RDS(ON) 文件：1.037869 Mbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PSMN015-100B	文件：146.19 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor 文件：146.19 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN015-100P	文件：146.19 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor 文件：146.19 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN015-100P	文件：217.01 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 文件：217.01 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PSMN015-100P	文件：949.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：949.09 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PSMN015-100YL	文件：726.68 Kbytes Page：13 Pages	丝印：15L100；Package：LFPAK56；N-channel 100 V, 15 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：726.68 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
15
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
35
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
90
Ptot [max] (W)：
300
Qr [typ] (nC)：
115
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
4900
Coss [typ] (pF)：
390
Release date：
2010-11-13

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