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PMZB290UN	文件：706.44 Kbytes Page：15 Pages	丝印：00000101；Package：DFN1006B-3；20 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：706.44 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZB290UNE	文件：1.55927 Mbytes Page：15 Pages	丝印：0000；Package：SOT883B；20 V, single N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFE 文件：1.55927 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZB290UNE	文件：2.53164 Mbytes Page：5 Pages	丝印：N5；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features \| VDS = 20v \| + RDS(ON) =300mQ (typ.) @ VGS= 2.5V \| + RDS(ON) =250mQ (typ.) @ VGS= 4.5V \| + ESD Protected up to 2KV \| 文件：2.53164 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
PMZB290UNE2	文件：717.13 Kbytes Page：16 Pages	丝印：0101；Package：SOT883B；20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Low threshold voltage • Very fast 文件：717.13 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZB290UN_15	文件：838.15 Kbytes Page：15 Pages	20 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：838.15 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMZB290UNE	文件：959.15 Kbytes Page：15 Pages	20 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：959.15 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMZB290UNE2	文件：230.44 Kbytes Page：16 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：230.44 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
PMZB290UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMZB290UN - 20 V, single N-channel Trench MOSFET 20 V, single N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Fast switching\n·Trench MOSFET technology\n·Low threshold voltage\n·Ultra thin package profile with 0.37 mm height\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMZB290UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMZB290UNE - 20 V, single N-channel Trench MOSFET 20 V, single N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Very fast switching\n·Low threshold voltage\n·Trench MOSFET technology \n·ESD protection up to 2 kV \n·Ultra thin package profile of 0.37mm;	Nexperia 安世	Nexperia
PMZB290UNE2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• Ultra thin package profile of 0.37 mm;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1006B-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
20
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
350
R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)：
450
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
1
Q_GD [typ] (nC)：
0.18
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
0.89
P_tot [max] (W)：
0.36
V_GSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
45
C_oss [typ] (pF)：
11
Date：
2012-05-11

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