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PMPB50ENEA中文资料PMPB50ENEA - 30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB50ENEA规格书详情
描述 Description
30 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
·Extended temperature range Tj = 175 °C
·Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
·Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
·Trench MOSFET technology
·AEC-Q101 qualified
应用 Application
·Relay driver
·High-speed line driver
·Low-side loadswitch
·Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMPB50ENEA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：43
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：60
- T_j [max] (°C)
：175
- I_D [max] (A)
：5.1
- Q_GD [typ] (nC)
：1.3
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：6
- P_tot [max] (W)
：0.545
- Q_r [typ] (nC)
：1.8
- V_GSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：Y
- C_iss [typ] (pF)
：271
- C_oss [typ] (pF)
：58
- Date
：2017-04-17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
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询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA |
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SOT1220 |
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DFN2020MD-6 |
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NEXPERIA/安世 |
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DFN2020MD6 |
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恩XP |
23+ |
SOT1220 |
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原厂原装正品 |
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NEXPERIA |
25+ |
DFN |
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原厂原装,价格优势 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
25+ |
SOT1220 |
500000 |
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询价 |
