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PMPB50ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMPB50ENEA - 30 V, N-channel Trench MOSFET 30 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Extended temperature range Tj = 175 °C\n·Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n·Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n·Trench MOSFET technology\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆
PMR100HZPFU5L00	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆
PMR209MC6220M047R30	文件：0 bytes Page：0 Pages	直插	KEMETKEMET Corporation 基美上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	KEMET

技术参数

Package name：
DFN2020MD-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
43
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
60
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
5.1
Q_GD [typ] (nC)：
1.3
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
6
P_tot [max] (W)：
0.545
Q_r [typ] (nC)：
1.8
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
271
C_oss [typ] (pF)：
58
Date：
2017-04-17

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