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PZT3906	文件：48.03 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplement:PZT3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •High-speedswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZT3906	文件：119.28 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistor PNPSiliconSwitchingTransistor ●HighDCcurrentgain0.1mAto100mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:PZT3904(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZT3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT3906	文件：689.58 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features •PackageSOT-223 Applications: •Switching •Amplification	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT3906	文件：1.80714 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3904 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3906	文件：1.12127 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3904 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT3906	文件：819.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3904	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT3906	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
PMBT3906VS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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