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PMBT3906VS	文件：229.85 Kbytes Page：10 Pages	Marking：ZD；Package：SOT666；40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor 1.Generaldescription PNP/PNPdoubleswitchingtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PMBT3904VS NPN/PNPcomplement:PMBT3946VPN 2.Featuresandbenefits •Doublegeneral-purposeswitchingtransistor •Board-spac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3906YS	文件：212.56 Kbytes Page：13 Pages	40V,200mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor 1.1Generaldescription PNP/PNPgeneral-purposedoubletransistorinaSOT363(SC-88)verysmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 1.2Features nGeneral-purposedoubletransistor nBoard-spacereduction nAEC-Q101qualified 1.3Applications nGeneral-purposeswitchingandampl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMP3906AYS	文件：250.6 Kbytes Page：11 Pages	40V,200mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Application-optimizedpinout 3.Applications •Currentmirror •Diff	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMP3906AYS-Q	文件：251.35 Kbytes Page：11 Pages	40V,200mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Application-optimizedpinout •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecom	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMSS3906	文件：45.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinanSC-70;SOT323plasticpackage.NPNcomplement:PMSS3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingine.g.telephonyandprofessional communicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMSS3906	文件：351.47 Kbytes Page：9 Pages	PNPswitchingtransistor FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switching,e.g.telephonyandprofessionalcommunicationequipment. DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinanSOT323(SC-70)plasticpackage.NPNcomplement:PMSS3904.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST3906	文件：47.15 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplement:PMST3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingintelephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMST3906	文件：199.52 Kbytes Page：11 Pages	40V,200mAPNPswitchingtransistor 1.1Generaldescription PNPswitchingtransistorinaSOT323(SC-70)verysmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PMST3904. 1.2Features nCollectorcurrent:IC£-200mA nCollector-emittervoltage:VCEO£-40V nVerysmallSMDplasticpackage 1.3Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PN3906	文件：301.65 Kbytes Page：1 Pages	PNPOUTPUTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PT3906	文件：326.71 Kbytes Page：1 Pages	3V~18Voperation	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
PMBT3906VS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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