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PT3906	文件：326.71 Kbytes Page：1 Pages	DoubleCoilHallDriverwithFGOutput	PROLIFICProlific Technology Inc. 旺玖科技旺玖科技股份有限公司	PROLIFIC
PXT3906	文件：59.66 Kbytes Page：2 Pages	PNPSwitchingTransistor Features ●Highcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.40V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PXT3906	文件：441.06 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimenttoPXT3904 ●Lowcurrent ●Lowvoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
PXT3906	文件：414.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof500mWattsofPowerDissipation •Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PXT3906	文件：45.96 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplement:PXT3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •High-speedsaturatedswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PXT3906	文件：3.01571 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimenttoPXT3904 ●Lowcurrent ●Lowvoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PXT3906	文件：530.63 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PXT3906	文件：1.5286 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplimenttoPXT3904 Lowcurrent Lowvoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PXT3906	文件：167.99 Kbytes Page：4 Pages	PNPSwitchingTransistor FEATURES ●Highcurrent(max.600mA). ●Lowvoltage(max.40V). ●Complement:PXT3904. APPLICATIONS ●High-speedsaturatedswitchingamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
PZT3906	文件：815.61 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description ThePZT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
PMBT3906VS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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