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PXT3904	文件：300.83 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof500mWattsofPowerDissipationand200mAIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55ćto150ć •ComplimenttoPXT3906 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeordering	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PXT3904	文件：457.57 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •ComplimenttoPXT3906 •Lowcurrent •Lowvoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
PXT3904	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •ComplimenttoPXT3906 •Lowcurrent •Lowvoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PXT3904	文件：320.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PXT3904	文件：151.07 Kbytes Page：4 Pages	NPNSwitchingTransistor FEATURES ●Highcurrent. ●Lowvoltage. APPLICATIONS ●High-speedswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
PXT3904	文件：749.25 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES eComplimenttoPXT3906 eLowcurrent eLowvoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PXT3904U	文件：1.3233 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplimenttoPXT3906U Lowcurrent Lowvoltage	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
PZT3904	文件：555.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
PZT3904	文件：188.19 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1W˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJˈTstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT3904	文件：47.95 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PZT3906. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •High-speedsaturatedswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PMBT3904VS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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