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PZT3904	文件：160.3 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
PZT3904	文件：225.85 Kbytes Page：1 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3904	文件：1.03267 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SurfaceMountSOT-223Package •LowVoltageandLowCurrent •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:ZT3904	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PZT3904	文件：1.64227 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoTPPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PZT3904-C	文件：356.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •LowVoltageandLowCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S3904	文件：245.5 Kbytes Page：6 Pages	NMOSlinearimagesensorCurrentoutput,highUVsensitivity,excellentlinearity,lowpowerconsumption	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S3904	文件：240.94 Kbytes Page：6 Pages	NMOSLinearimagesensor	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S3904-F	文件：196.26 Kbytes Page：4 Pages	NMOSlinearimagesensor	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
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SBT3904	文件：51.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3906	AUK AUK corp	AUK

详细参数

型号：
PMBT3904VS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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