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PMBT3904VS	文件：231.51 Kbytes Page：10 Pages	Marking：ZC；Package：SOT666；40 V, 200 mA NPN/NPN switching transistor 1.Generaldescription NPN/NPNdoubleswitchingtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Doublegeneral-purposeswitchingtransistor •Board-spacereduction •UltrasmallandflatleadSMDplasticpackage 3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3904YS	文件：1.10591 Mbytes Page：10 Pages	40V,200mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor 1.Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposedoubletransistorinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •General-purposedoubletransistor •Board-spacereduction 3.Applications •General-purposeswitchingandamplificatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3904YS-Q	文件：243.46 Kbytes Page：10 Pages	40V,200mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor 1.Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposedoubletransistorinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •General-purposedoubletransistor •Board-spacereduction •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinau	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMSS3904	文件：47.2 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinanSC-70(SOT323)plastic package.PNPcomplement:PMSS3906. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMSS3904	文件：336.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment. DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinanSC-70(SOT323)plasticpackage.PNPcomplement:PMSS3906.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST3904	文件：47.14 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PMST3906. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Telephony •Professionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMST3904	文件：354.84 Kbytes Page：10 Pages	NPNswitchingtransistor FEATURES •CollectorcurrentcapabilityIC=200mA •Collector-emittervoltageVCEO=40V. APPLICATIONS •Generalamplificationandswitching. DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PMST3906.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PN3904	文件：301.65 Kbytes Page：1 Pages	PNPOUTPUTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PXT3904	文件：45.83 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplement:PXT3906. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •High-speedswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PXT3904	文件：59.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSwitchingTransistor Features ●Highcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.40V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
PMBT3904VS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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