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PHP1N50E	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP1N50E	文件：21.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies 文件：21.1 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHP1N60	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable off-state characteristics, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power 文件：57.83 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHP1N60E	文件：21.11 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies 文件：21.11 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHP1N60E	文件：372.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP101NQ03LT	文件：961.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：961.57 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PHP10N60E	文件：1.1057 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.1057 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PHP10N60FE	文件：1.03294 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03294 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PHP110NQ08T	文件：337.91 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：337.91 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PHP119NQ06T	文件：192.91 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：192.91 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP

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更多PHP1供应商更新时间2025-12-17 14:00:00

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