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PHP119NQ06T	文件：371.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP119NQ06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET;	恩XP	恩XP
PHP119NQ06T	文件：192.91 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	ETC	ETC
PHP119NQ06T	文件：94.09 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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更多PHP119NQ06T供应商更新时间2025-7-30 10:02:00