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PHP119NQ06T

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:371.41 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

PHP119NQ06T

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件:94.09 Kbytes 页数:13 Pages

PHI

PHI

PHI

PHP119NQ06T

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件:192.91 Kbytes 页数:13 Pages

恩XP

恩XP

PHP119NQ06T

N-channel TrenchMOS standard level FET

恩XP

恩XP

详细参数

  • 型号:

    PHP119NQ06T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT78TO-220AB
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更多PHP119NQ06T供应商 更新时间2026-1-19 10:04:00