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PHP10N60FE	文件：1.03294 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PJF10N60	文件：190.06 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •10A,600V,RDS(ON)=1.0Ω@VGS=10V,ID=5.0A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJP10N60	文件：190.06 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •10A,600V,RDS(ON)=1.0Ω@VGS=10V,ID=5.0A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
RMP10N60HD	文件：120.24 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 100%AvalancheTest FastSwitchingCharacteristic SimpleDriveRequirement RoHSCompliant&Halogen-Free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SDF10N60	文件：459.45 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SFF10N60	文件：99.16 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SGB10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGB10N60	文件：506.86 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGB10N60A	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGB10N60A	文件：795.39 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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