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PHPT610030NPK	文件：334.68 Kbytes Page：18 Pages	丝印：1003NPK；Package：LFPAK56D；NPN/PNP high power double bipolar transistor 1. General description NPN/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement: PHPT610030NK PNP/PNP complement: PHPT610030PK 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • Suitable 文件：334.68 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610030NPK-Q	文件：335.63 Kbytes Page：18 Pages	丝印：1003NPK；Package：SOT1205；NPN/PNP high power double bipolar transistor 1. General description NPN/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement: PHPT610030NK-Q PNP/PNP complement: PHPT610030PK-Q 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • Suit 文件：335.63 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610030PK	文件：727.83 Kbytes Page：15 Pages	丝印：10030PK；Package：SOT1205；PNP/PNP high power double bipolar transistor 1. General description PNP/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface- Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement: PHPT610030NK. NPN/PNP complement: PHPT610030NPK. 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • Suitab 文件：727.83 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610030PK	文件：248.43 Kbytes Page：15 Pages	PNP/PNP high power double bipolar transistor General description PNP/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement: PHPT610030NK. NPN/PNP complement: PHPT610030NPK. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • 文件：248.43 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PHPT610030PKX	文件：248.43 Kbytes Page：15 Pages	PNP/PNP high power double bipolar transistor General description PNP/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement: PHPT610030NK. NPN/PNP complement: PHPT610030NPK. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • 文件：248.43 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PHPT610035NK	文件：250.85 Kbytes Page：16 Pages	NPN/NPN high power double bipolar transistor General description NPN/NPN high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030NK. PNP/PNP complement: PHPT610035PK. NPN/PNP complement: PHPT610035NPK. Features and benefits • Current gain matching 5 • 文件：250.85 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
PHPT610035NK	文件：280.81 Kbytes Page：14 Pages	丝印：10035NK；Package：LFPAK56D；NPN/NPN high power double bipolar transistor 1. General description NPN/NPN high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030NK. PNP/PNP complement: PHPT610035PK NPN/PNP complement: PHPT610035NPK 2. Features and benefits • Current gain matchi 文件：280.81 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610035NK-Q	文件：281.21 Kbytes Page：14 Pages	丝印：10035NK；Package：SOT1205；NPN/NPN high power double bipolar transistor 1. General description NPN/NPN high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030NK-Q. PNP/PNP complement: PHPT610035PK-Q NPN/PNP complement: PHPT610035NPK-Q 2. Features and benefits • Current gain 文件：281.21 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610035PK	文件：728.01 Kbytes Page：16 Pages	PNP/PNP matched high power double bipolar transistor 1. General description PNP/PNP high power matched double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030PK. NPN/NPN complement: PHPT610035NK. 2. Features and benefits • Current gain matching 10 • High thermal powe 文件：728.01 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT610035PK-Q	文件：281.19 Kbytes Page：14 Pages	丝印：10035PK；Package：SOT1205；PNP/PNP matched high power double bipolar transistor 1. General description PNP/PNP high power matched double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface- Mounted Device (SMD) power plastic package. Matched version of PHPT610030PK-Q. NPN/NPN complement: PHPT610035NK-Q. 2. Features and benefits • Current gain matching 10 % • High t 文件：281.19 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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技术参数

技术/工艺：
薄膜
阻值：
10Ω
精度：
±0.1%
功率：
1W
温度系数：
±25ppm/℃
工作温度：
cL
安装类型：
SMT
长x宽/尺寸：
3.20 x 1.60mm
封装/外壳：
bE
引脚数：
2Pin
是否无铅：
Yes
系列：
PHP
等级：
消费级
原始制造商：
Vishay Intertechnology
原产国家：
America
认证信息：
RoHS
存储温度：
cL
元件生命周期：
Active
高度：
0.83mm
额定电压：
200V

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