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SBP13003-O	文件：376.67 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed ◆HighVoltageCapability ◆WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBR13003	文件：713.87 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdevicesisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingregulator,inverteranddeflectioncircuit. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical120ns@1.0A) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBR13003A	文件：264.94 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBR13003A	文件：461.06 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdevicesisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingregulator,inverteranddeflectioncircuit. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed(Typical120ns@1.0A) ◆MinimumLot-to-LothFEVariation ◆LowVCE(sat	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBR13003B	文件：417.46 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBR13003BD	文件：291.74 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBR13003D	文件：365.71 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed ◆HighVoltageCapability ◆WideReverseBiasSOA ◆Built-infreewheelingdiode	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SGM13003A	文件：482.83 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS GENERALDESCRIPTION TheSGM13003Aisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASSGalileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers17.4dBgainatanextremelylownoise figureof1.00dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1160MHzto 1300MHz	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SPA13003	文件：283.62 Kbytes Page：4 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistorSwitchingRegulatorApplications NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor Features •Highbreakdownvoltage. •High-speedswitching. •WideASO. •AdoptionofMBITprocess.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ST13003	文件：71.28 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
PHE13003C
功能描述：
两极晶体管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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