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S13003ADL	文件：125.2 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Mainlyusedfor110VpowerFluorescentLamp、 ElectronicBallast，etc	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
S13003DL	文件：124.58 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Mainlyusedfor110VpowerFluorescentLamp、 ElectronicBallast，etc	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
SAEP13003	文件：137.13 Kbytes Page：5 Pages	ADSLLINETRANSFORMER	PRODUCTWELL Productwell Precision Elect.CO.,LTD	PRODUCTWELL
SBL13003	文件：690.25 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdevicesisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingregulator,inverteranddeflectioncircuit. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical120ns@1.0A) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBL13003	文件：700.21 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SBN13003A	文件：670.48 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingregulator,inverteranddeflectioncircuit. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical120ns@1.0A) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat)	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBN13003A	文件：269.24 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,HighspeedSwitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBP13003	文件：156.6 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdevicesisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristic,especiallysuitableforballastsysytem. Features -VeryHighSwitchingSpeed -MinimumLot-to-LothFEVariation -Shortstorgetime -WideReverseBiasS.O.A	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBP13003D	文件：433.74 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighVoltage,HighspeedswitchingCharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA ■Built-infreewheelingdiode	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBP13003H	文件：346.79 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,HighspeedSwitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

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详细参数

型号：
PHE13003C
功能描述：
两极晶体管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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