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PDTC123EMB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
PDTC123EMB |
| 参数属性 | PDTC123EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
| 人工找货 | PDTC123EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTC123EMB规格书详情
描述 Description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PDTA123EMB.
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTC123EMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：2.2
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
1629+ |
SOT232 |
910 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23-3 |
2000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
QFN64 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT-23 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23-3 |
20000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
恩XP |
SOT-23 |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
QFN64 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
