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PDTC115EEF规格书详情
描述 Description
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩDESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).
FEATURES
• Built-in bias resistors
• Simplified circuit design
• Reduction of component count
• Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
• General purpose switching and amplification
• Inverter and interface circuits
• Circuit driver.
特性 Features
• Built-in bias resistors
• Simplified circuit design
• Reduction of component count
• Reduced pick and place costs.
技术参数
- 型号:
PDTC115EEF
- 功能描述:
TRANS NPN W/RES 50V SOT-490
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列:
-
- 标准包装:
10,000
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压 电流 -
- 集电极(Ic)(最大):
100mA 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大):
50V 电阻器 -
- 基极(R1)(欧):
47k 电阻器 -
- 发射极(R2)(欧):
47k 在某 Ic、Vce
- 时的最小直流电流增益(hFE):
70 @ 5mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):
300mV @ 500µA,10mA 电流 -
- 集电极截止(最大):
- 频率 -
- 转换:
100MHz 功率 -
- 最大:
250mW
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:
PG-SOT323-3
- 包装:
带卷(TR)
- 其它名称:
SP000756242
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
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