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PDTC115EMB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

PDTC115EMB

参数属性

PDTC115EMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

功能描述

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

封装外壳

3-XFDFN

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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PDTC115EMB规格书详情

描述 Description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA115EMB.

特性 Features

• 20 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm

应用 Application

• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications

技术参数

  • 制造商编号

    :PDTC115EMB

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN1006B-3

  • Size (mm)

    :1 x 0.6 x 0.37

  • Channel type

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :250

  • R2 (typ) (kΩ)

    :100

  • IC [max] (mA)

    :100

  • R1 (typ) (kΩ)

    :100

  • VCEO (V)

    :50

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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