PDTC115EM中文资料NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PDTC115EM |
| 参数属性 | PDTC115EM 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 11:11:00 |
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PDTC115EM规格书详情
描述 Description
NPN resistor equipped transistor (see �Simplified outline, symbol and pinning� for package details).
特性 Features
• Built-in bias resistors
• Simplified circuit design
• Reduction of component count
• Reduced pick and place costs.
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• General purpose switching and amplification
• Inverter and interface circuits
• Circuit driver.
技术参数
- 制造商编号
：PDTC115EM
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.48
- IO [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：100
- R2 (typ) (kΩ)
：100
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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