PDTC115TM中文资料NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = open数据手册Nexperia规格书

厂商型号 |
PDTC115TM |
参数属性 | PDTC115TM 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = open |
封装外壳 | 3-XFDFN |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 16:30:00 |
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PDTC115TM规格书详情
描述 Description
NPN resistor-equipped transistors.
特性 Features
• Built-in bias resistor
• Reduces component count
• Simplifies circuit design
• Reduces pick and place costs
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• General-purpose switching and amplification
• Circuit drivers
• Inverter and interface circuits
技术参数
- 制造商编号
:PDTC115TM
- 生产厂家
:Nexperia
- Package name
:DFN1006-3
- Size (mm)
:1 x 0.6 x 0.48
- Channel type
:NPN
- Ptot (mW)
:250
- IC [max] (mA)
:100
- R1 (typ) (kΩ)
:100
- VCEO (V)
:50
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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