丝印：00110110；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓

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Low VCEsat (BISS) transistors

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PHI

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Low VCEsat (BISS) transistors

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PHI

飞利浦

NPN resistor-equipped transistor

恩XP

恩智浦

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm

NPN resistor-equipped transistor (see �Simplified outline, symbol and pinning� for package details).\n • Built-in bias resistors\n• Simplified circuit design\n• Reduction of component count\n• Reduced pick and place costs.\n• AEC-Q101 qualified\n;

Nexperia

安世

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n PNP complement: PDTA123EMB.\n • 100 mA output current capability\n• Reduces component count\n• Built-in bias resistors\n• Reduces pick and place costs\n• Simplifies circuit design\n• AEC-Q101 qualified\n• Leadless ultra small SMD plastic package\n• Low package height of 0.37 mm\n;

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安世

Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

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Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

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Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：PDTC123ET/SOT23/TO-236AB

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