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PDTC123YT	文件：79.48 Kbytes Page：11 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Features ■ Built-in bias resistors ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers 文件：79.48 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC123YT	文件：237.95 Kbytes Page：19 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：237.95 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123YU	文件：237.95 Kbytes Page：19 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：237.95 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123YU	文件：79.48 Kbytes Page：11 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Features ■ Built-in bias resistors ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers 文件：79.48 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC123YU	文件：145.9 Kbytes Page：11 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Features ■ Built-in bias resistors ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers 文件：145.9 Kbytes 页数：11 Pages	恩XP	恩XP
PDTC123E	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm 文件：91.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC123EE	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm 文件：91.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC123EEF	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm 文件：91.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC123EK	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm 文件：91.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC123EM	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm 文件：91.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI

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技术参数

Package name：
DFN1006-3
Size (mm)：
1 x 0.6 x 0.48
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
250
R2 (typ) (kΩ)：
2.2
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
VCEO (V)：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	PDTC123JE	PHI	23+	SOT-23	12300		询价
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深圳市海天鸿电子科技有限公司	PDTC123JE	NEXPERIA	1645+	?	6500	只做原装进口,假一罚十	询价

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