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PDTC115TU	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TMB	文件：615.64 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00110010；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = open	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC115TU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC115TK,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
PDTC115TM,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-101，SOT-883；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTC115TMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
PDTC115T
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	PDTC115TE	NXP	08+	SOT23	2000		询价
深圳市一线半导体有限公司	PDTC115TU	NXPSemiconductors	24+	SC-70-3SOT-323	115		询价
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更多PDTC115T供应商更新时间2025-5-17 9:00:00

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