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PDTC115T	文件：78.67 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open General description NPN resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistor ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers ■ Inverter and interface circuits 文件：78.67 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC115T	文件：177.46 Kbytes Page：11 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistor * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：177.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115T_SER	文件：177.46 Kbytes Page：11 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistor * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：177.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TE	文件：177.46 Kbytes Page：11 Pages	丝印：17；Package：SC-75；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistor * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：177.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TE	文件：78.67 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open General description NPN resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistor ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers ■ Inverter and interface circuits 文件：78.67 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC115TE	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：224.95 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TK	文件：78.67 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open General description NPN resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistor ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers ■ Inverter and interface circuits 文件：78.67 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC115TK	文件：177.46 Kbytes Page：11 Pages	丝印：28；Package：SC-59A；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistor * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：177.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TK	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：224.95 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC115TM	文件：78.67 Kbytes Page：10 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 =100 kW, R2 open General description NPN resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistor ■ Reduces component count ■ Simplifies circuit design ■ Reduces pick and place costs Applications ■ General-purpose switching and amplification ■ Circuit drivers ■ Inverter and interface circuits 文件：78.67 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
DFN1006-3
Size (mm)：
1 x 0.6 x 0.48
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
250
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
100
VCEO (V)：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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