PDTB123ET分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTB123ET |
| 参数属性 | PDTB123ET 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB |
| 功能描述 | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
374.3 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
| 人工找货 | PDTB123ET价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTB123ET规格书详情
Features and benefits
* 500 mA output current capability
* Built-in bias resistors
* Simplifies circuit design
* Reduces component count
* Reduces pick and place costs
* ±10 resistor ratio tolerance
* AEC-Q101 qualified
产品属性
- 产品编号：
PDTB123ET,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
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PHI |
25+ |
SOT23-3 |
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Nexperia/安世 |
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SOT23 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT23 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT23 |
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NEXPERIA/安世 |
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Nexperia |
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