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PDTB114ET分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTB114ET
厂商型号

PDTB114ET

参数属性

PDTB114ET 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.46W

功能描述

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

丝印标识

09

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

2.53511 Mbytes

页面数量

18

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 23:00:00

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PDTB114ET规格书详情

Features

 500 mA output current capability

 Built-in bias resistors

 Simplifies circuit design

 Reduces component count

  10 resistor ratio tolerance

 AEC-Q101 qualified

 High temperature applications

up to 175 °C

产品属性

  • 产品编号:

    PDTB114ETVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.46W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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