PDTB114ET分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTB114ET |
| 参数属性 | PDTB114ET 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 0.46W |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
50.43 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 原厂标识 | PHILIPS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 10:09:00 |
| 人工找货 | PDTB114ET价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTB114ET规格书详情
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PDTD114ET.
FEATURES
• Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 kΩ each)
• Simplification of circuit design
• Reduces number of components and board space.
APPLICATIONS
• Especially suitable for space reduction in interface and driver circuits
• Inverter circuit configurations without use of external resistors.
产品属性
- 产品编号：
PDTB114ETVL
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 0.46W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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