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PDTB123YQA	文件：2.00194 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YQA	文件：1.96439 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YQA	文件：2.00195 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YS	文件：75.37 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB123YS	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT	文件：75.37 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB123YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB123YT	文件：240.7 Kbytes Page：9 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT 2.Featuresandbenefits •500mAoutputcurrentcapability •Reducespickandplacecosts •Built-inbiasresistors •±10re	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT-Q	文件：222.39 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT-Q. 2.Featuresandbenefits •500mAoutputcurrentcapability •Reducespickandplacecosts •Built-inbiasresistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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