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PDTB123YU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123	文件：50.48 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123E	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123E	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123E_SERIES	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123EE	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123EE	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123EE	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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