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PDTB123EQA	文件：3.67582 Mbytes Page：23 Pages	Marking：010101；Package：SOT1215；50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67584 Mbytes Page：23 Pages	Marking：010101；Package：SOT1215；50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67682 Mbytes Page：23 Pages	Marking：010101；Package：DFN1010D-3；50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 3DFN	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTB123ES	文件：245.81 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB123ET	文件：374.3 Kbytes Page：11 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance *AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123ET	文件：245.81 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123EU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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