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PDTA123EM	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123EM	文件：189.73 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA123EM	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EM	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EM	文件：421.92 Kbytes Page：15 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EMB	文件：836.02 Kbytes Page：13 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EM,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-101，SOT-883 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：3-XFDFN 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ES	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123ES	文件：189.73 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA123ES	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ES	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ES	文件：421.92 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ET	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123ET	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
PDTA123EM
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多PDTA123EM供应商更新时间2024-9-26 10:19:00

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