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PDTA114YU	文件：863.35 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YU-Q	文件：209.74 Kbytes Page：9 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114YU-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduce	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114EQA	文件：3.67582 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114EQA	文件：3.67682 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114EQA	文件：3.67584 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114ET	文件：50.43 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PDTD114ET. FEATURES •Built-inbiasresistorsR1andR2(typ.10kΩeach) •Simplificationofcircuitdesign •Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS •Especiallysuitableforspace	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PDTB114ET	文件：2.53615 Mbytes Page：18 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitdesign	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114ET	文件：2.53511 Mbytes Page：18 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114ET	文件：232.95 Kbytes Page：11 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistor 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PDTD114ET 2.Featuresandbenefits •500mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcou	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Package name：
DFN1110D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.48
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
450
R2 (typ) (kΩ)：
47
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
10
VCEO (V)：
50

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