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PDTA114YT	文件：92.59 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114YT	文件：1.5354 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YT	文件：863.35 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YU	文件：92.59 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114YU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA114YU	文件：1.5354 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YU	文件：863.35 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA114YU-Q	文件：209.74 Kbytes Page：9 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114YU-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduce	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB114EQA	文件：3.67582 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN1110D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.48
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
450
R2 (typ) (kΩ)：
47
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
10
VCEO (V)：
50

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更多PDTA114YQB-Q供应商更新时间2025-7-18 16:28:00

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